昨年の２月以来になります。 お久しぶりです。
いろいろなアンプを作ると言いながら、この間アンプ工作に進捗はありませんでした。
期待にそえなくてすみません。
さて、先日ふと思いついたことがあります。
それは、2SK117や2SK246などのFETの足が、１ピンからDSGの順にならんでいる場合、それを180度ひっくり返しても、１ピンのDがGに、３ピンのGがDになり、同じように使えるということですが、本当にそうなのかということです。
そこで、手持ちのNo.267アンプ、「SiC MOS-FET パワーIVC」の初段のTr1とTr2を取り出して調べました。
金田先生は製作記事で「差動アンプ2SK117BLは２個の特性が揃っているほど差動アンプとしての性能がより発揮できる」と記し、記事の測定回路で「Idssの差が0.1ｍA以内のFETを選んで、ペアマッチングする」としています。
私は手持ちの2SK117BLを測定して、Tr1のIdssにぴったり合ったTr2を見つけ、ペアマッチングしたつもりでいました。
そう言えば、Tr2は熱結合するため180度向きを変えて接着していて、Tr2として使っている面のIdssは未測定だと気づいたのです。
今回、それぞれの実際の装着形態に従い測定しなおすと、若干の誤差を持った組み合わせだったと分かりました。
幸い、Idssの差が0.1ｍA以内に収まっていたので、再使用することにしましたが思いがけないことでした。
この機会に手持ちの2SK246BL、2SJ103BL、2SK170BL、2SJ74BLで、表裏両面の値を測定してみると、ほぼ同じ値を示すものもあれば、若干違っていたり、中には大きく違うものもありました。
Idssは裏表で同一の値になるとは限らないことを知り、今後は熱結合をするときは両面を測定して判断しようと思った次第です。
これについて「接合型FET SD互換」などでネットを検索すると、既に話題にしている先人の方々がいました。
金田アンプ入門がごく最近の私は、先人の「気づき」に今更ながら追いついた感じです。
ところで、金田先生は「MJ無線と実験」2022年12月号と2023年1月号に「No.286 光カートリッジDS-E1用プリアンプ」を発表されました。
これを読んで、後先を考えずDS-E1を手に入れてしまいました。
アンプ作りはこれからなので、今は眺めるだけです。
プリント基板原図も仕上がり、部品もぼちぼちと集めています。